本文主要是介绍03 PN与二极管的特性,对大家解决编程问题具有一定的参考价值,需要的程序猿们随着小编来一起学习吧!
温度越高,雪崩击穿所需要的击穿电压越高,因为温度升高导致晶格也在震,让自由电子容易碰到干扰物,行程变短。为了在短行程内获取更大的能量好去撞出价电子,需要加大电压。
温度越高,齐纳击穿所需要的击穿电压越低。因为齐纳击穿本身就是把价电子拉出来,温度越高,越容易。
为什么不用六价元素,自由电子更多?
从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的.为何不如此的主要原因是:要最大限度地保持原来单晶结构的完整性.往硅中掺杂,是替位式掺杂,掺入的原子要取代硅原子的位置.
这个是跟原子的能级跃迁有关,之所以选3跟5的元素,是因为他们跟4价原子的能级比较接近,使得电子更容易跃迁
因为要保持晶体结构的完整性 以N型半导体为例,加入六价七价的元素的话,由于原子核束缚能力更强,该元素反而不容易失去电子
因为6,7价的施主能级低,不容易激发电子到导带形成自由电子,或者说不容易失电子
通过控制掺杂不同浓度控制反向击穿电压大小
电容特性:电压变化时,储存的电荷变化
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